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投资者提问:您好!媒体报道国外研发出“超级闪存”,仅需几纳秒的时间即可写入…

投资者提问:

您好!媒体报道国外研发出“超级闪存”,仅需几纳秒的时间即可写入数据,这使其比商用闪存快数千倍。新型存储器结构由硒化铟(indium selenide)半导体层,六方氮化硼(hexagonal boron nitride)绝缘层和位于二氧化硅和硅晶圆顶部的多个导电石墨烯层组成。新存储器不仅速度快了大约5000倍,而且可以存储多个数据位,而不仅仅是零和一。
请问:公司是否有“超级闪存”相关技术储备?

董秘回答(朗科科技SZ300042):

感谢您的关注。公司会积极关注存储类技术的发展。

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